① 円筒導体に単位長さ当たりλ〔Ｃ／ｍ〕の電荷を与えた。円筒導体の中心軸からの距離ｒ〔ｍ〕における電界の大きさを求めよ。
② ①において、円筒導体の中心軸からの距離Ｒ〔ｍ〕における電位を円筒導体の中心を電位の基準として求めよ。
③ ②において、全体を比誘電率εｒの媒質で満たした。電位はどうなるか。
II 接地した無限に広い平板導体から距離Ｈ〔ｍ〕の位置に、ｑ〔Ｃ〕の点電荷がある。次の問に答えよ。
① 点電荷に働く力を求めよ。
② 平板導体表面に誘起される電荷の面密度を座標を適当に設定して求めよ。
III 真空中の点（１，１，１）〔ｍ〕にＱ１〔Ｃ〕の点電荷、点（－１，－１，－１）〔ｍ〕にＱ２〔Ｃ〕の点電荷がある。以下の問いに答えよ。
① Ｑ１＝－Ｑ２＝１×１０－９〔Ｃ〕のとき、原点における電界、電位、電束密度、単位体積当たりの静電エネルギーを求めよ。
② ①で、全体を比誘電率 2 の媒質で満たした。原点における電界、電位、電束密度を求めよ。
③ ①で、電位が０〔Ｖ〕の等電位面を求めよ。
④ Ｑ１＝Ｑ２＝１×１０－４〔Ｃ〕のとき、１×１０－５〔Ｃ〕の点電荷を、ｘ軸上の正の無限の遠方から原点まで移動させた。この点電荷の得たポテンシャルエネルギーを求めよ。
④ ④で、原点にある１×１０－５〔Ｃ〕の点電荷に働く力を求めよ。