I 比誘電率1の媒質中に平面導体がある。この平面導体の表面よりH(m)の位置にQ(C)の点電荷を持ってきた。以下の問いに答えよ。 ただし、平面導体の面積は、Hに対して充分に広いと見なせるとする。
@ 導体表面に誘起される電荷を求めよ。(座標は適当に設定せよ。)
A 点電荷の受ける力を求めよ。
B 全体が比誘電率εrの媒質で満たされたとき、導体表面に誘起される電荷の分布と点電荷の受ける力はどの様に変化するか。
II 面積S(m2)の導体平板1,2が間隔d(m)で並行にある。(S≫d2) 以下に答えよ。
@ 導体平板1,2にそれぞれσ1(C/m2),σ2(C/m2)の電荷を与えた。導体平板1,2の中心を原点として導体平板1に垂直に向かう方向にz軸を選んで、任意の位置における電界の方向と大きさを求めよ。 ただし、σ1>σ2≧0とする。
A @において、導体平板1,2の電位差を求めよ。
B @において、z軸方向の電界をzの関数としてグラフで表せ。
C 導体平板1,2をキャパシタと見なしたとき、静電容量を求めよ。
III 真空中の点(1,1,0)(m)に1(C)の電荷、点(−1,−1,0)(m)に1(C)の電荷がある。以下の問いに答えよ。
@ 原点における電界、電位、電束密度、単位体積当たりの静電エネルギーを求めよ。
A 点(−1,1,0)(m)における電界、電位、電束密度を求めよ。
B @において全体を比誘電率 2 の媒質で満たした。原点における電界、電位、電束密度、単位体積当たりの静電エネルギーはどのように変化するか。