@ 円筒導体2の外側表面を接地して、円柱導体1に単位長さ当たりλ[C/m]の電荷を与えた。円柱導体1および円筒導体2には、 どの様に電荷が分布するか。
A @において、円柱導体1の中心軸からの距離r[m] における電界の大きさを求めよ。
B @において、円柱導体1の中心軸からの距離R[m]における電位を求めよ。
C 円柱導体1と円筒導体2の間の単位長さ当たりの静電容量を求めよ。
D Bにおいて、全体を比誘電率εrの媒質で満たした。電位はどうなるか。
E εr=2、R1=1.1[mm]、R2=3[mm]、t=0.1[mm]とする。 Cにおいて、単位長さ当たりの静電容量はいくらか。 ( ただし、loge(3/1.1)=1、ε0=8.854×10-12[C/Vm]としてもよい。
II 真空中に接地された無限に広い平面導体がある。次の問に答えよ。必要な座標は各自で設定せよ。
@ Q[C]の点電荷を無限の遠方から、平面導体の表面からの高さH[m]の位置へ近づけた。点電荷の受ける力を求めよ。
A @において、点電荷の獲得した静電ポテンシャルエネルギーを求めよ。
B @およびAにおいて、全体を比誘電率εrの媒質で満たした。@の点電荷の受ける力と、Aの静電ポテンシャルエネルギーを求めよ。
III 真空中の点(1,0,0)[m]にQ1[C]の点電荷、点(−1,0,0)(m)にQ2[C]の点電荷がある。以下の問いに答えよ。
@ Q1=−Q2=1×10-9[C]のとき、原点における電界、電位、電束密度、単位体積当たりの静電エネルギーを求めよ。
A Q1=Q2=1×10-9[C]のとき、原点における電界、電位、電束密度、単位体積当たりの静電エネルギーを求めよ。
B @で、全体を比誘電率 2 の媒質で満たした。原点における電界、電位、電束密度を求めよ。
C Aで、全体を比誘電率 2 の媒質で満たした。原点における電位と、単位体積当たりの静電エネルギーを求めよ。