右の図のように（真空中で）接地された導体平面から距離ｈの高さに断面の半径Ｒの直線導体がある。ｈ》Ｒとしたとき、 直線導体に単位長さ辺りλの電荷を与えたとき直線導体に働く単位長さ辺りの力と平面導体に誘起される電荷を求める。 導体平面と直線導体間の単位長さ辺りの静電容量を求める。
この場合の影像電荷は、断面の半径Ｒ、間隔２ｈで平行な直線導体を考え、この直線導体に逆の電荷（−λ）を与えれば良い。
（ｈ》Ｒであるから、平面導体に誘起された電荷によって誘起される直線導体上の電荷は無視する。）
’９７ １／９レポートで求めたように、直線導体間の電位差Ｖは、（レポートにおいて、Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ、ｄ＝２ｈとおいて）
Ｖ＝λ/πε0*ｌｏｇ（２ｈ/Ｒ）
単位長さ辺りの静電エネルギーｗは、
ｗ＝λＶ／２＝λ2/２πε0*ｌｏｇ（２ｈ/Ｒ）
ゆえに単位長さ辺りの力ｆは、離れる方向を正にして、
ｆ＝−∂ｗ/∂ｈ＝−λ2/２πε0ｈ
単位長さ辺りの大きさ λ2/２πε0ｈ で、引き合う方向に働く。
Ｅt＝λ/2πε0（ｒ2＋ｈ2）1/2 *ｒ／（ｒ2＋ｈ2）1/2
−λ/2πε0（ｒ2＋ｈ2）1/2 *ｒ／（ｒ2＋ｈ2）1/2
＝０
（この（水平）成分は、影像電荷を想定したことによって、’０’であるから、初めから以下の垂直成分（Ｅl）だけを考えてもよい。）
Ｅl＝λ/2πε0（ｒ2＋ｈ2）1/2 *（−ｈ）／（ｒ2＋ｈ2）1/2
−λ/2πε0（ｒ2＋ｈ2）1/2 *ｈ／（ｒ2＋ｈ2）1/2
＝−λ／πε0*ｈ／（ｒ2＋ｈ2）
電束蜜度の垂直成分が導体表面の面電荷密度と等しいので、面電荷密度σは、
σ＝Ｄl＝ε0Ｅl＝−λ/π*ｈ／（ｒ2＋ｈ2）
直線導体と影像電荷で想定された直線帯電体との間の電位差Ｖは、先に求めたように
Ｖ＝λ/πε0*ｌｏｇ（２ｈ/Ｒ）
ゆえに単位長さ辺りの静電容量ＣLは、
ＣL＝Ｖ／λ＝１／πε0*ｌｏｇ（２ｈ/Ｒ）