I 真空中に面積S〔m2〕の導体板1,2が間隔d〔m〕で平行にある。以下の問いに答えよ。 (必要な座標は各自で設定せよ。)
@ 導体板1にQ〔C〕、導体板2に−Q〔C〕(Q>0)の電荷を与えた。導体板間の電界を求めよ。
導体板1について:E1= | Q 2ε0S | 〔V/m〕(導体板から垂直に外向き) |
導体板2について:E2= | −Q 2ε0S | 〔V/m〕(導体板から垂直に外向き) |
E= | Q ε0S | 〔V/m〕(導体板に対して垂直で、導体板1から導体板2への方向) |
A @において、導体板1と導体板2の間の電位差を求めよ。
V=Ed= | Qd ε0S | 〔V〕(導体板2を電位の基準にした) |
B 導体板1と導体板2をコンデンサと見なしたときの静電容量を求めよ。
C= | Q V | = | ε0S d | 〔F〕 |
C @において、電気力線を示せ。
II 電荷が、密度ρ〔C/m3〕で均一に半径d〔m〕の円柱状に分布している。以下の問に答えよ。
@ 柱の中心軸からr〔m〕の位置の電界を求めよ。
∫E・d S= | 2πrHE |
E= | ρr 2ε0 | 〔V/m〕 (r<d) |
E= | ρd2 2ε0r | 〔V/m〕 (d<r) |
A 柱の中心軸からR〔m〕の位置の電位を求めよ。ただし、電位の基準を円柱の中心軸にする。
φ(R)= | R | −Ed r |
∫ | ||
0 |
φ(R)= | R | − | ρr 2ε0 |
d r |
=− | ρR2 4ε0 |
〔V〕 |
∫ | |||||||
0 |
φ(R)=φ(d)+ | R | − | ρd2 2ε0r |
d r |
=− | ρd2 4ε0 |
− | ρd2 2ε0 | log | d R |
〔V〕 |
∫ | |||||||||||
d |
B ρ=1〔C/m3〕、d=0.1〔m〕とする。中心軸から1〔m〕の位置に−2〔C〕の点電荷がある。点電荷の受ける力を求めよ。
値を代入して、E= | 1・0.12 2ε0・1 | = | 0.01 2ε0 | 〔V/m〕 |
力 F=QE=−2・ | 0.01 2ε0 |
=− | 0.01 ε0 | =−1.1×109〔N〕 |
III 真空中の点
@ 原点における電界と電位を求めよ。
A 点(0,0,1)〔m〕における電界と電位を求めよ。
電位について : (0,0,1)においては、それぞれの点電荷の与える電位は等しい。ひとつの点電荷の与える電位は、
B −1〔C〕の点電荷を、y軸上の正の無限の遠方から原点まで移動させた。この点電荷の得たポテンシャルエネルギーを求めよ。