Ⅰ 厚さ Ｔ（ｍ） の無限に広がる比誘電率εrの誘電体平面があり、この平面の外側に一様な電界Ｅを印加した。
この電界の平面に垂直な成分をＥ⊥、平行な成分をＥ∥として、以下の問いに答えよ。
① 誘電体内部の電界を平面に垂直な成分と平行な成分に分けて求めよ。
② ①を参考にして分極により誘電体表面に現れる電荷の面密度を求めよ。
③ 誘電体内部の電束密度を平面に垂直な成分と平行な成分に分けて求めよ。
④ 誘電体平面の片側に面密度σ（Ｃ／ｍ2）の真電荷（孤立した電荷）をもう一方の側に面密度－σ（Ｃ／ｍ2）の真電荷を与えた。
誘電体内部の電束密度を平面に垂直な成分と平行な成分に分けて求めよ。
Ⅱ 内半径Ｒ（ｍ）、外半径Ｒ＋Ｔ（ｍ）の比誘電率εrの球殻の中心にＱ（ｃ）の点電荷がある。以下の問いに答えよ。
① 任意の点における電界を求めよ。
② 任意の点における電束密度を求めよ。
③ 無限遠を基準として任意の点における電位を求めよ。
④ 誘電体内の任意の点における分極密度を求めよ。
⑤ 誘電体球の内側表面と外側表面に誘起されている電荷の面電荷密度を求めよ。
⑥ ①～④を中心からの距離に対してグラフで表せ。
Ⅰ 内半径 Ｒ（ｍ）、外半径 Ｒ＋Ｔ（ｍ）の無限に長い円筒状の誘電体の筒がある。
内側表面にλ／2πＲ（Ｃ／ｍ2）、外側表面に－λ／2π（Ｒ＋Ｔ）（Ｃ／ｍ2）の電荷を与えた。以下の問いに答えよ。
① 任意の点における電束密度を求めよ。
② 任意の点における電界を求めよ。
③ 内側表面と外側表面の間の電位差を求めよ。
④ 単位長さ当たりの静電容量を求めよ。
⑤ 電束密度と電界をグラフにより表現せよ。
Ⅱ 無限に広い接地された導体平面があり、この導体平面より距離Ｈ（ｍ）の位置にＱ（ｃ）の点電荷がある。以下の問いに答えよ。
① 導体平面に誘起される電荷を座標を適当に設定して求めよ。
② Ｈ（ｍ）の位置のＱ（ｃ）の点電荷の静電エネルギーを求めよ。
Ⅲ Ｑ0（ｃ）に帯電した半径Ｒ（ｍ）の導体球がある。この導体球の中心よりＨ（ｍ）（Ｈ＞Ｒ）の位置にＱ（ｃ）の点電荷がある。
以下の問いに答えよ。
① 導体球の表面の面電荷密度を座標を適当に設定して表せ。
② 無限遠を基準にして、導体球の電位を求めよ。
③ Ｈ（ｍ）の位置のＱ（ｃ）の点電荷の静電エネルギーを求めよ。