電束で述べたように、ｑ[C]の点電荷よりわき出す電束は'ｑ'で、誘電率によらない。均一な誘電媒質中では空間に均一に広がるので、 点ｒにあるｑ[C]の点電荷が点Ｒに作る電束密度は、
Ｄ（Ｒ）＝Σｑ/4π|Ｒ-ｒ|2・(Ｒ-ｒ)/|Ｒ-ｒ|
とおける。
さて、比誘電率εrの誘電媒質中では、Ｄ＝ε0εrＥ であるので、
均一な比誘電率εrの誘電媒質中の点ｒにあるｑ[C]の点電荷が点Ｒに作る電界Ｅ（Ｒ）は、
Ｅ（Ｒ）＝Ｄ（Ｒ）／ε0εr であるから、
Ｅ（Ｒ）＝Σｑ/4πε0εr|Ｒ-ｒ|2・(Ｒ-ｒ)/|Ｒ-ｒ|
で与えられる。
複数の電荷があれば、それぞれの電荷の作る電界を合成すればよいので、
Ｅ（Ｒ）＝Σｑi/4πε0εr|Ｒ-ｒi|2・(Ｒ-ｒi)/|Ｒ-ｒi|(i;１〜ｎ)
Ｅ（Ｒ）＝∫ρ(ｒ)dＶ/4πε0εr|Ｒ-ｒ|2・(Ｒ-ｒ)/|Ｒ-ｒ|（dＶ;ｒについて積分する）
とかける。
真（孤立）電荷の分布が同じなら、媒質の比誘電率に反比例して電界は弱くなる。一方、比誘電率が変わっても電束密度は変化しない。